Top.Mail.Ru

с 23 сентября 2024 по 30 мая 2025 года

Основы нанотехнологий

Прием заявок для участия в кружке осуществляется с 8 апреля 2024 года по 31 августа 2024 года.

К участию приглашаются обучающиеся 7-8 классов.

Продолжительность курса: с 3 сентября 2024 года по 30 мая 2025 года.

Место проведения занятий: г. Ставрополь, ул. Артема, 6.

Расписание занятий: четверг, 16:00 - 18:20 (3 урока).

Обучение платное. Оплата ежемесячно согласно прейскуранту.


Внимание!
При выборе программы ориентируйтесь на класс, в который будет ходить ребёнок в 2024/2025 учебном году.

По вопросам участия в программе просим обращаться по телефону +7 (8652) 99-88-48 или по адресу [email protected]

 

 

Содержание курса
Результаты курса
Порядок зачисления

Тема 1. Инструктаж по технике безопасности в исследовательской лаборатории и на технологической площадке. 

Изучение современных документов, регламентирующих безопасность в лаборатории и на производстве. Практическое изучение методов ликвидации последствий, возникших в результате непредвиденных ситуаций.

 

Тема 2. История возникновения нанотехнологии. 

Общие понятия и термины. Изучение основных исторических событий, связанных с нанотехнологиями. Изучение современных ГОСТ, определяющих терминологию нанонауки. Проведение демонстрационных экспериментов. Демонстрационные эксперименты с применением необходимого оборудования. Защита докладов. 

 

Тема 3. Классификация наноструктур. 

Наночастицы и нанокластеры, Квантовые точки. Макетная сборка химических веществ. Роль поверхностных атомов. Магические числа. Защита докладов. Квантово-химическое моделирование физико-химических свойств квантовых точек. 

 

Тема 4. Нанопленки.

История применения и перспективы. Изучение истории появления нанопленок и перспектив их развития. Получение первичных образцов пленок на поверхности материалов. 

 

Тема 5. Современные полупроводниковые наноразмерные материалы.

Теоретическое изучение современных полупроводниковых наноразмерных материалов, их области применения и перспективы развития. Получение полупроводниковых наноразмерных материалов.

 

Тема 6. Электронная микроскопия.

 Электронные микроскоп. Изучение основ электронной микроскопии. Изучение строения и принципа работы электронного микроскопа. Выполнение индивидуального задания.

 

Тема 7. Атомно-силовая микроскопия. 

Современные АСМ. Изучение основ электронной микроскопии. Изучение строения и принципа работы атомно-силового микроскопа. Анализ и описание подготовленных снимков.

 

Тема 8. Способы фазового анализа. 

Рентгеновская дифрактометрия  и Ик-Фурье спектрометрия. Изучение основ рентгеновской дифрактометрии. Изучение базовых понятий и принципа работы рентгеновского дифрактометра. Описание дифрактограмм. Описание подготовленных дифрактограмм.

 

Тема 9. Способы анализа физических свойств веществ. 

Измерение поверхностного натяжения, измерение адгезионной стойкости материалов. Изучение способов анализа физических свойств веществ. Развитие базовых навыков и компетенций. Методы измерения поверхностного натяжения жидкости. Измерение поверхностного натяжения жидкости двумя методами.

Изучение способов анализа физических свойств веществ. Развитие базовых навыков и компетенций. Методы измерения адгезионной стойкости материалов. Анализ результатов и оформление лабораторного журнала.

 

Тема 10. Способы измерения оптических свойств веществ.

Спектры поглощения и отражения веществ. Изучение методов измерения и описания оптических свойств веществ. Описание спектров поглощения и отражения. Изучение базовых физических закономерностей оптики в физике. Явление поверхностного плазмонного резонанса. Изучение и описание графиков поглощения и отражения света. Явление диффузного отражения тела.

 

Тема 11. Анализ геометрических размеров частиц и данных по распределению при помощи электронной микроскопии. 

Изучение методов анализа геометрических размеров частиц. Метод анализа геометрических размеров частиц по данным о распределении при помощи электронной микроскопии. Анализ подготовленных снимков. Выполнение индивидуального задания. Получение гистограмм распределения на приборе Photocor. Анализ и описание полученных результатов.

 

Тема 12. Наноэлектроника и тенденции ее развития.

Изучение тенденций развития наноэлектроники в современном мире и перспектив ее развития. Выполнение индивидуального задания.

 

Тема 13. Одноэлектронное туннелирование. 

Резонансное туннелирование. Спинтроника. Изучение физических явлений туннелирования. Выполнение индивидуального задания.

 

Тема 14. Сверхпроводниковая электроника. Нанокомпьютеры и квантовые компьютеры. 

Изучение принципов работы сверхпроводящей электроники, нанокомпьютеров и квантовых компьютеров. Выполнение индивидуального задания.

 

Тема 15. Нанотехнологии в оптоэлектронике. 

Изучение принципов оптоэлектроники. Анализ современного состояния отрасли и перспектив ее развития. Как нанотехнологии могут улучшить современные оптоэлектронные устройства. Выполнение индивидуального задания. 

 

Тема 16. Гидрофобные поверхности. 

Технология гидрофобизации. Синтез и исследование. Открытие краевого угла смачиваемости. Описание такого процесса как смачивание поверхности. Выполнение индивидуального задания.

  • сформированные специальные знания и представления в области физики и химии;
  • применение теоретических знаний для практических целей на современных химических производствах;
  • обучение работе с высокотехнологичным оборудованием;
  • изучение методов работы с большими объемами информации, способов структурирования и анализа данных;
  • закрепление школьной программы в области физики и химии и дальнейшее углубление знаний;
  • умение применять узкоспециализированную терминологию.

На программу зачисляются все желающие школьники соответствующего возраста при наличии свободных мест. Школьник считается зачисленным на программу, если родитель/законный представитель заключил договор с Центром «Поиск» на оказание платных услуг. Договор можно заключить в любом из офисов Центра «Поиск». 

График работы администраторов

На сайте используются файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы проинформированы об их использовании, а также принимаете Политику конфиденциальности.